浙江金瑞泓科技股份有限公司
企业简介

浙江金瑞泓科技股份有限公司 main business:硅材料、化合物半导体材料、人工晶体材料、复合半导体材料及半导体器件的研发、生产;集成电路设计;数据通讯、计算机软件技术开发;电子技术工程及技改项目的技术咨询、服务;高科技项目的技术研究开发、技术咨询服务;自营和代理货物和技术的进出口,但国家限定经营或禁止进出口的货物和技术除外。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

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浙江金瑞泓科技股份有限公司的工商信息
  • 330200000006651
  • 913302007204926720
  • 存续
  • 股份有限公司(非上市、自然人投资或控股)
  • 2000年06月21日
  • 王敏文
  • 24236.000000
  • 2000年06月21日 至 2020年06月20日
  • 宁波市市场监督管理局
  • 2017年11月01日
  • 宁波保税区0125-3地块
  • 硅材料、化合物半导体材料、人工晶体材料、复合半导体材料及半导体器件的研发、生产;集成电路设计;数据通讯、计算机软件技术开发;电子技术工程及技改项目的技术咨询、服务;高科技项目的技术研究开发、技术咨询服务;自营和代理货物和技术的进出口,但国家限定经营或禁止进出口的货物和技术除外。
浙江金瑞泓科技股份有限公司的域名
类型 名称 网址
网站 浙江金瑞泓科技股份有限公司 http://www.zjjrh.com/
浙江金瑞泓科技股份有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN105773430A 一种在线的砂浆再利用的装置 2016.07.20 本发明公开了一种在线的砂浆再利用的装置。它包括依次相连的废砂收集单元、废砂浆分离处理单元、可利用砂浆
2 CN205376488U 一种硅片酸腐蚀用夹持转动工装 2016.07.06 本实用新型涉及一种硅片酸腐蚀用夹持转动工装,包括端面圆板、连接柱和转轴,端面圆板呈两块并排同轴布置,
3 CN105671631A 一种原位清洗200mm-300mm外延设备基座背面的方法 2016.06.15 本发明涉及一种原位清洗200mm-300mm外延设备基座背面的方法,包括:在副进气口设置HCl/H<
4 CN105543951A 一种在高COP硅单晶衬底上制备200mm-300mm低缺陷外延片的方法 2016.05.04 本发明涉及一种在高COP硅单晶衬底上制备200mm-300mm低缺陷外延片的方法,包括:(1)将高C
5 CN102618923B 一种准减压外延生长方法 2015.09.02 本发明涉及一种准减压外延生长方法,在常压反应系统中,以惰性气体氩气为载气和填充气,以三氯氢硅和氢气为
6 CN102644106B 一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法 2015.07.22 本发明涉及一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法,包括以下步骤:将上部石英圆盖的内表面制作成倾斜面
7 CN104711675A 磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶及其硅外延片 2015.06.17 本发明公开了磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶及其硅外延片。磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶,磷作为主
8 CN102618921B 一种双排气平板式外延炉 2015.06.03 本发明涉及一种双排气平板式外延炉,包括石英钟罩(1)和底板(15),底板(15)上端安装有石英钟罩(
9 CN102496590B 带超声或兆声振子的异丙醇干燥机 2015.04.22 本发明公开了一种带超声或兆声振子的异丙醇干燥机。它包括喷嘴、盖子、溢流槽、支撑架、水槽、振子、氮气和
10 CN102623332B 一种硅单晶片的二氧化硅薄膜的剥离装置 2015.03.25 本发明涉及一种硅单晶片的二氧化硅薄膜的剥离装置,包括软膜(1)、夹具(2)和氢氟酸溶液槽(12),软
11 CN102615589B 一种使用抛光盘接引盘的抛光系统和方法 2014.09.24 本发明涉及一种使用抛光盘接引盘的抛光系统和方法。该系统包括抛光头和接引盘系统,抛光头上安装有用于吸附
12 CN202861967U 一种硅片抛光的悬挂式中心轮结构 2013.04.10 本实用新型涉及一种硅片抛光的悬挂式中心轮结构,包括中心杆、中心轮和中心轮安装基座,所述的中心杆的下端
13 CN202668322U 一种用于抛光机的压力圈 2013.01.16 本实用新型涉及一种用于抛光机的压力圈,包括压力圈本体,所述压力圈本体的表面上设有开槽结构。本实用新型
14 CN202662573U 一种带超声或兆声振子的异丙醇干燥机 2013.01.09 本实用新型公开了一种带超声或兆声振子的异丙醇干燥机。它包括喷嘴、盖子、溢流槽、支撑架、水槽、振子、进
15 CN202658267U 一种用于直拉硅单晶生长的晶种夹头 2013.01.09 本实用新型公开了一种用于直拉硅单晶生长的晶种夹头。包括挂钩、上段、中段、下段、销子,下段的中心为晶种
16 CN202607857U 一种线切硅单晶 2012.12.19 本实用新型涉及一种线切硅单晶,包括晶锭(1),所述晶锭(1)在钢线切入的最初位置点粘结有一引导条(2
17 CN202574297U 一种抛光过程中的陶瓷盘接引盘 2012.12.05 本实用新型涉及一种抛光过程中的陶瓷盘接引盘,包括陶瓷盘,还包括水槽和推车,所述水槽底部设有安装所述陶
18 CN202580637U 一种可切换气体的阀门分配面板 2012.12.05 本实用新型涉及一种可切换气体的阀门分配面板,包括底板,所述底板上安装有相互连通的进气管和多路出气管,
19 CN202576645U 一种石墨基座 2012.12.05 本实用新型涉及一种石墨基座,包括底座(1),所述底座(1)上设置有安装位(2),所述安装位(2)内安
20 CN202547297U 一种用于硅抛光片在异丙醇中干燥的PFA片架 2012.11.21 本实用新型涉及一种用于硅抛光片在异丙醇中干燥的PFA片架,包括框架,所述框架两侧设有侧挡条,所述侧挡
21 CN202538663U 一种线切割砂浆配制装置 2012.11.21 本实用新型涉及一种线切割砂浆配制装置,包括砂斗,所述砂斗底部配有过滤网,下方出口处连接有通过电机传动
22 CN102644106A 一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法 2012.08.22 本发明涉及一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法,包括以下步骤:将上部石英圆盖的内表面制作成倾斜面
23 CN102632452A 一种利用水圈进行硅片抛光方法 2012.08.15 本发明涉及一种利用水圈进行硅片抛光方法,包括以下步骤:制作压制水圈;利用双面胶将制得的压制水圈贴到抛
24 CN102626896A 一种定盘边缘抛光布割布的硅片抛光方法 2012.08.08 本发明涉及一种定盘边缘抛光布割布的硅片抛光方法,包括以下步骤:根据设备抛光后的硅片塌边状况割取抛光布
25 CN102623332A 一种硅单晶片的二氧化硅薄膜的剥离装置及其方法 2012.08.01 本发明涉及一种硅单晶片的二氧化硅薄膜的剥离装置及其方法,包括软膜(1)、夹具(2)和氢氟酸溶液槽(1
26 CN102618923A 一种准减压外延生长方法 2012.08.01 本发明涉及一种准减压外延生长方法,在常压反应系统中,以惰性气体氩气为载气和填充气,以三氯氢硅和氢气为
27 CN102615589A 一种使用抛光盘接引盘的抛光系统和方法 2012.08.01 本发明涉及一种使用抛光盘接引盘的抛光系统和方法。该系统包括抛光头和接引盘系统,抛光头上安装有用于吸附
28 CN102618921A 一种双排气平板式外延炉 2012.08.01 本发明涉及一种双排气平板式外延炉,包括石英钟罩(1)和底板(15),底板(15)上端安装有石英钟罩(
29 CN102496590A 带超声或兆声振子的异丙醇干燥机 2012.06.13 本发明公开了一种带超声或兆声振子的异丙醇干燥机。它包括喷嘴、盖子、溢流槽、支撑架、水槽、振子、氮气和
30 CN102496564A 提高二氧化硅背封抛光硅单晶片异丙醇干燥成品率的方法 2012.06.13 本发明公开了一种提高二氧化硅背封抛光硅单晶片异丙醇干燥成品率的方法。在抛光硅单晶片背面的二氧化硅背封
31 CN102492983A 用于直拉硅单晶生长的晶种夹头 2012.06.13 本发明公开了一种用于直拉硅单晶生长的晶种夹头。包括挂钩、上段、中段、下段、销子,下段的中心为晶种的固
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